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項(xiàng)目介紹

ECCI，全寫(xiě)為electron channeling contrast imaging，即電子通道襯度成像。

ECCI可以進(jìn)行下列測(cè)試表征：

（1）原位試驗(yàn)（暫無(wú)測(cè)試）: 單軸、多軸、循環(huán)變形等試驗(yàn)，ECCI擁有原位表征能力，可以分析同一區(qū)域在不同變形階段的位錯(cuò)表現(xiàn)；

（2）位錯(cuò)統(tǒng)計(jì)：ECCI表征面積較大，可以對(duì)一定范圍內(nèi)的位錯(cuò)進(jìn)行定量或者半定量分析；

（3）特定位置位錯(cuò)分析：ECCI不需要減薄，即可以對(duì)裂尖、特定取向晶粒、應(yīng)力集中位置等特殊位置的位錯(cuò)進(jìn)行表征；

（4）環(huán)境試驗(yàn)：ECCI可以對(duì)腐蝕環(huán)境下的變形和失效樣品位錯(cuò)進(jìn)行表征。

樣品要求

1. 樣品應(yīng)為晶體材料，表面具有良好的晶體結(jié)構(gòu)；

2. 樣品尺寸小于1 x 1 x 0.5cm；EBSD測(cè)試后的樣品可直接測(cè)試；

3. 需要對(duì)樣品進(jìn)行拋光處理，獲得平整的表面；

4. 給出拍攝倍數(shù)要求和圖片張數(shù)要求；目前最多10張圖。

項(xiàng)目案列

Dislocation cells

Dislocation cells with one activated twin system

Dislocation cells with two activated twin systems

常見(jiàn)問(wèn)題

電子通道襯度成像（ECCI）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)？

（1）樣品制備簡(jiǎn)單和非破壞性：相比于透射電鏡技術(shù)復(fù)雜的樣品制樣過(guò)程，用于ECCI表征的樣品制備過(guò)程非常簡(jiǎn)單，只需將塊狀樣品的表面拋光至鏡面即可；對(duì)于特定取向的晶粒、應(yīng)力集中區(qū)、失效開(kāi)裂區(qū)的缺陷分析，ECCI 技術(shù)也只要通過(guò)常規(guī)的樣品制備就可實(shí)現(xiàn)觀(guān)察，無(wú)需FIB技術(shù)定點(diǎn)制備薄片樣品；由于制樣過(guò)程無(wú)需破壞樣品，在ECCI表征后樣品還可進(jìn)行后續(xù)實(shí)驗(yàn)；

（2）高通量分析：結(jié)合掃描電鏡的大視野和大像素成像技術(shù)特點(diǎn)，ECCI技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大面積高通量的晶體缺陷采集，為實(shí)現(xiàn)晶體缺陷的統(tǒng)計(jì)分析提供可能；

（3）更高的分析靈敏度和分辨率，更高效率：ECCI技術(shù)利用掃描電鏡高分辨成像，其數(shù)據(jù)采集效率高，圖像分辨率高，對(duì)材料的形變靈敏，即使材料內(nèi)部有較小的形變，也將在ECCI圖像中看出端倪。

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