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    振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)

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    熒光光譜(PL)

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    微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)

    微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)

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    超導(dǎo)量子干涉磁測(cè)量(SQUID)

    超導(dǎo)量子干涉磁測(cè)量(SQUID)

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    電化學(xué)分析

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    四探針測(cè)試儀

    四探針測(cè)試儀

    已預(yù)約4454次

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    霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

    霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

    已預(yù)約4899次

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    固體/薄膜表面ZETA電位儀

    固體/薄膜表面ZETA電位儀

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    電導(dǎo)率

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    寬頻介電常數(shù)測(cè)試儀

    寬頻介電常數(shù)測(cè)試儀

    已預(yù)約3226次

    平均周期8天  |  總體滿意度99%

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    表面光電壓譜儀(SPV)

    表面光電壓譜儀(SPV)

    已預(yù)約4615次

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    鐵電壓電分析儀

    鐵電壓電分析儀

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    光催化產(chǎn)氫

    光催化產(chǎn)氫

    已預(yù)約2289次

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    塞貝克系數(shù)與電阻率測(cè)試系統(tǒng)

    塞貝克系數(shù)與電阻率測(cè)試系統(tǒng)

    已預(yù)約2425次

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    橢偏儀

    橢偏儀

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    飛秒瞬態(tài)吸收

    飛秒瞬態(tài)吸收

    已預(yù)約3561次

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    變溫?zé)晒夤庾V(PL)

    變溫?zé)晒夤庾V(PL)

    已預(yù)約3473次

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    光催化二氧化碳還原

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    已預(yù)約1930次

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    物性綜合測(cè)量系統(tǒng)(PPMS)

    物性綜合測(cè)量系統(tǒng)(PPMS)

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    光電轉(zhuǎn)化效率測(cè)試(IPCE)

    光電轉(zhuǎn)化效率測(cè)試(IPCE)

    已預(yù)約1471次

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    阻抗分析儀

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    多功能缺陷熒光光譜儀

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    已預(yù)約1743次

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    D33測(cè)試(壓電常數(shù)測(cè)試)

    D33測(cè)試(壓電常數(shù)測(cè)試)

    已預(yù)約2213次

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    擊穿電壓試驗(yàn)儀

    擊穿電壓試驗(yàn)儀

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    光熱偏轉(zhuǎn)譜(PDS)系統(tǒng)PTS-3-PDS

    光熱偏轉(zhuǎn)譜(PDS)系統(tǒng)PTS-3-PDS

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    霧度測(cè)試

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    強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)

    強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)

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     熱刺激電流儀(TSC)

    熱刺激電流儀(TSC)

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    半導(dǎo)體光電測(cè)試

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    圓偏振熒光光譜儀(CPL)

    圓偏振熒光光譜儀(CPL)

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    薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)(MRS)

    薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)(MRS)

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    基于捕獲阱的慢正電子束譜儀

    基于捕獲阱的慢正電子束譜儀

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    電池性能測(cè)試

    電池性能測(cè)試

    已預(yù)約2229次

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    殘余應(yīng)力

    殘余應(yīng)力

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    固態(tài)電解質(zhì)分析系統(tǒng)

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    聲學(xué)性能測(cè)試系統(tǒng)(阻抗管)

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    太陽(yáng)能電池伏安特性測(cè)試儀

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    磁致伸縮系數(shù)測(cè)量系統(tǒng)

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    量子效率測(cè)試

    量子效率測(cè)試

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    流阻測(cè)試分析儀

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    微波諧振腔

    微波諧振腔

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    OLED光電測(cè)試系統(tǒng)

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    矯頑磁力自動(dòng)測(cè)量?jī)x

    矯頑磁力自動(dòng)測(cè)量?jī)x

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    飛灰比電阻測(cè)定儀

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    強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS)

    強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS)

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    光學(xué)應(yīng)變測(cè)試系統(tǒng)

    光學(xué)應(yīng)變測(cè)試系統(tǒng)

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    平面近場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)

    平面近場(chǎng)測(cè)試系統(tǒng)

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    BH LOOP分析儀

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    常見(jiàn)問(wèn)題

    Q&A

    Q:到底是發(fā)論文還是申請(qǐng)專利?
    A:論文和專利都是技術(shù)的載體,論文審稿側(cè)重考察數(shù)據(jù)是否可靠、結(jié)論是否準(zhǔn)確,發(fā)明專利會(huì)經(jīng)過(guò)新穎性或創(chuàng)造性的審查,授權(quán)后獲得獨(dú)占權(quán)而受到法律保護(hù),自己在先公開(kāi)的論文會(huì)導(dǎo)致在后申請(qǐng)的專利失去新穎性或創(chuàng)造性,對(duì)于同一方案務(wù)必先申請(qǐng)專利再發(fā)表論文。
    Q:專利申請(qǐng)為什么要趁早?
    A:1.要防止創(chuàng)意或產(chǎn)品推出前被模仿。2.相關(guān)技術(shù)更新迭代、層出不窮,慢一步就會(huì)導(dǎo)致他人先公開(kāi)自己的創(chuàng)意而無(wú)法獲得專利權(quán)。3.專利可以在升學(xué)評(píng)獎(jiǎng)、職稱考核、高企認(rèn)定等過(guò)程中添加砝碼,競(jìng)爭(zhēng)激烈,提早準(zhǔn)備更容易命中目標(biāo)。
    Q:哪些不能申請(qǐng)專利?
    A:1. 科學(xué)發(fā)現(xiàn);3. 疾病的診斷和治療方法;4. 動(dòng)物和植物品種;5. 用原子核變換方法獲得的物質(zhì);6. 對(duì)平面印刷品的圖案、色彩或者二者的結(jié)合作出的主要起標(biāo)識(shí)作用的設(shè)計(jì)。
    Q:發(fā)明和實(shí)用新型有何區(qū)別?
    A:1.保護(hù)客體不同,發(fā)明專利保護(hù)產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案,實(shí)用新型專利只保護(hù)產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。2.審批程序不同,發(fā)明專利需要經(jīng)過(guò)實(shí)質(zhì)審查以確定滿足新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性,審查時(shí)間更長(zhǎng),實(shí)用新型不需要經(jīng)過(guò)實(shí)質(zhì)審查,創(chuàng)造性和技術(shù)水平較發(fā)明專利低,但實(shí)用價(jià)值大。3.保護(hù)期限不同,發(fā)明專利權(quán)的期限為二十年,實(shí)用新型專利權(quán)的期限為十年,外觀設(shè)計(jì)專利權(quán)的期限為十五年,均自申請(qǐng)日起計(jì)算。
    Q:什么是技術(shù)交底書(shū)?
    A:技術(shù)交底書(shū)是發(fā)明人和代理師溝通的基礎(chǔ),應(yīng)當(dāng)涵蓋現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題是什么,發(fā)明人提出了什么樣的解決方案,達(dá)到了何種效果,以及希望保護(hù)的核心技術(shù)要點(diǎn)是什么,應(yīng)當(dāng)盡可能記錄技術(shù)內(nèi)容,充分描述技術(shù)細(xì)節(jié),提供有力的證明材料,如此才能撰寫(xiě)更高質(zhì)量的專利。
    Q:如何才能更快獲得發(fā)明專利授權(quán)?
    A:1.優(yōu)先審查,涉及特定的高端制造、節(jié)能環(huán)保、新材料、新能源等特殊領(lǐng)域,可以申請(qǐng)優(yōu)先審查,最快可在6-8個(gè)月獲得發(fā)明專利授權(quán)。2.通過(guò)保護(hù)中心的預(yù)審加快審查,進(jìn)入快速審查通道,可進(jìn)一步壓縮授權(quán)時(shí)間。
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